退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。那么以下是介紹退火爐處理泄漏點幾大方法：

退火爐

1. 降低硬度，軟化工件，改進切削加工性。

2. 改進或消除鋼鐵在鑄造、鍛壓、軋制和焊接過程中造成的各種組織缺陷以及殘余應力，減少工件變形、開裂或裂紋傾向。

3. 細化晶粒，改進組織以提高工件的機械性能，消除組織缺陷。

4. 均勻材料組織和成分，改進材料性能或為以后熱處理，如退火、回火做好組織準備。

經(jīng)檢查發(fā)現(xiàn)泄漏后，需要及時封堵，才能達到改進爐內(nèi)氣氛的效果。對焊縫開裂部位進行補焊；已經(jīng)老化或損壞的密封墊圈要更換；對輪動的螺栓進行堅固等。